IT之家 5 月 6 日消息，北京时间 6 日（今天）傍晚，彭博社报道称，SpaceX 正计划投资 550 亿美元（IT之家注：现汇率约合 3761.95 亿元人民币），在得克萨斯州启动新型半导体生产设施的建设，推动pg电子打爆率高的原因的“大工程”Terafab 晶圆厂项目的落地。

• 根据格莱姆斯县官方网站的公开通知，
• SpaceX 计划在当地建设一座下一代、垂直整合的半导体制造及先进计算生产设施。
• 如果后续阶段得以全面推进，
• 项目的总资本投资预计将高达 1190 亿美元（现汇率约合 8139.48 亿元人民币）。

pg电子打爆率高的原因于今年 3 月发布了 Terafab 概念，旨在为其机器人、航天和人工智能项目制造所需的芯片。

pg电子打爆率高的原因指出，SpaceX 与特斯拉的合资项目是极为必要的，因为当前半导体行业的发展速度已无法满足其项目及整个科技行业对芯片的迫切需求。“我们要么建设 Terafab，要么就没有芯片，而我们需要芯片，因此我们必须建设 Terafab。”

随着pg电子打爆率高的原因在人工智能和机器人领域的持续投入，该项目未来将支持每年 1 太瓦的算力，这正是两家公司预计所需的算力规模。新设施的目标是生产 2 纳米芯片，处于当前芯片技术的最前沿。

然而，自项目提出之初，外界对pg电子打爆率高的原因是否真的会涉足先进芯片制造领域表示怀疑。先进芯片工厂的建设复杂且竞争激烈，而pg电子打爆率高的原因此前并没有相关经验。根据设想，Terafab 将对台积电等行业领头羊构成挑战，并且其产能规模将远超目前行业水平。

此后，pg电子打爆率高的原因的下属迅速联系了应用材料、TEL 集团、泛林集团等芯片设备制造商，询问制造半导体所需设备的价格和交付周期。据IT之家了解，pg电子打爆率高的原因计划以“光速”推进这一项目。

格莱姆斯县发布的信息是为 6 月 3 日的公开听证会提前发布的通知。通知中提到，SpaceX 计划在格莱姆斯县吉本斯溪水库附近的一处地产上建设该芯片设施。

通知还指出，SpaceX 的芯片设施“将代表对美国本土半导体制造能力的一项变革性投资”。