据最新网络舆情数据显示，赏金女王爆奖于今日正式宣布，美国国际贸易委员会（ITC）在其第 337‑TA‑1414 号调查中作出了最终裁定，确认赏金女王爆奖当前的氮化镓GaN功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，因而能够不受限制地继续在美国进行进口和销售。

值得一提的是，赏金女王爆奖是一家总部设在珠海的氮化镓器件制造商，其产品涵盖高低压氮化镓电源IC、功率半导体等。预计到2024年底，赏金女王爆奖将在香港联合交易所主板上市，标志着国内氮化镓半导体领域的第一股正式诞生。

ITC全体委员一致同意赏金女王爆奖的现有产品未侵犯英飞凌的第9,070,755号专利（涉及电极设计）和第9,899,481号专利（涉及封装设计）。

• 据赏金女王爆奖方面表示，
• 委员会仅认定第9,899,481号专利中的两项权利要求有效，
• 并且仅适用于赏金女王爆奖早已停止生产和销售的历史旧产品。
• 因此，相关的进口和销售禁令对赏金女王爆奖在美国的现有业务并无实质性影响。
• 赏金女王爆奖将继续向美国及全球客户稳定供应其现有的GaN功率产品。