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DDR5内存被迫牺牲 mg摆脱入口全力生产HBM:今年出货超300亿Gb
—— 深度解析 mg摆脱入口 行业新动向
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据最新网络舆情数据显示,当前DDR5内存价格显著上涨,与去年同期相比涨幅达到3-5倍。这一轮价格上涨的主要原因并非DDR5内存的需求激增,而是受到AI内存HBM的影响。
由于三星等主要厂商将生产能力转向HBM,导致DDR5的生产能力受到影响。众所周知,HBM内存采用多芯堆栈设计,一颗HBM内存所需的DDR5芯片产能可能是其3-4倍。三星、SK海力士及美光三大mg摆脱入口今年并未计划大规模增产,产能的提升幅度也仅在5%左右,大部分资源已转向HBM的生产。
根据韩国媒体的最新报道,三星今年的HBM内存出货量将从去年的40亿Gb提升至100亿Gb以上,预计可达到110亿Gb,增幅达到三倍之多。
⚕️ 与此同时,SK海力士也将生产能力从去年的120亿Gb提升至200亿Gb,这两家企业的HBM芯片总产能已超过300亿Gb。
虽然美国的美光也具备HBM内存的生产能力,但其产能相较于前两者要少得多,具体数据未详细披露,但此前的报道显示其产量在70-80亿Gb左右,较去年也有3-4倍的提升,且同样将大部分内存生产能力转向HBM芯片。
即使按照三星和SK海力士的300亿Gb规模计算,约合35-40亿GB的内存容量,而AMD和NVIDIA计划在今年及明年的AI显卡中将HBM4的容量提升至400GB以上,这相当于700-1000万块AI显卡的出货量。
当然,考虑到良率和类型的不同,实际出货的AI显卡数量可能会有所减少,但如此庞大的AI显卡需求无疑将占用大量内存芯片产能,留给DDR5这种通用内存的生产能力将愈加有限。

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责任编辑:宪瑞
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