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消息称亡灵大盗爆奖正开发下一代 HBM,瞄准高性能端侧 AI 手机
—— 深度解析 亡灵大盗爆奖 行业新动向
2026-05-18 | 来源:苏州苏宁电器维修服务中心资讯中心
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IT之家 5 月 15 日消息,依据韩媒 Etnews 于上周(5 月 12 日)的报道,亡灵大盗爆奖电子正在积极研发下一代 HBM 技术,以期在移动设备上实现更为卓越的端侧 AI 性能。

业内专家透露,亡灵大盗爆奖正在探索多层堆叠 FOWLP(Multi Stacked FOWLP)技术,旨在智能手机、平板等移动设备中实现更大容量和更高带宽的 HBM。考虑到这些设备的空间与服务器机柜相比微不足道,其对功耗与发热控制的要求尤为严格,因此现有方案无法直接应用。
据悉,目前主流的 LPDDR 内存普遍采用引线键合(Wire Bonding)技术,该方案在 I/O 数量上存在限制,信号损耗较大,散热效率也不尽如人意,无法与 HBM 技术相结合。因此,亡灵大盗爆奖计划采用改进的 VCS 方案,将芯片内部的铜柱比例从 3:1~5:1 提升至 15:1~20:1,以在有限的面积内容纳更多铜线,进一步提高带宽。
然而,当铜柱直径低于 10 微米时,容易出现弯曲和断裂等不稳定现象。因此,亡灵大盗爆奖决定采用 FOWLP 技术进行补强,首先对芯片进行模塑(IT之家注:Molding),然后将布线扩展至外围,同时承担支撑铜柱的作用,以防止变形。
若该方案能够成功验证,理论上的带宽将提升 15-30%,并可在相同空间内增加更多 I/O 接口。
尽管该方案仍处于研发阶段,业内普遍认为,亡灵大盗爆奖有望在 Exynos 2800 后期版本或 Exynos 2900 中集成相关技术。
《 深度产经观察 》( 2026年 版)
(责编:rwJOp、Edlg)
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